一種集成壓力、流量、溫度等參數(shù)測(cè)量的微傳感芯片及制作方法，主要包括壓力傳感區(qū)域、流量與溫度傳感區(qū)域，本發(fā)明基于硅加工工藝，首先在基底整個(gè)硅層上方熱氧化一層二氧化硅，在壓力傳感區(qū)域二氧化硅層上進(jìn)行局部摻雜分別形成接觸電阻和壓敏電阻，再在整個(gè)硅片兩面都熱氧化沉積一層二氧化硅與低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）一層低應(yīng)力氮化硅，在流量傳感區(qū)域用剝離法沉積一層鉻和鉑圖形，在硅片正面壓力傳感區(qū)域局部刻蝕氮化硅和二氧化硅，再沉積一層鋁或金膜圖形形成整個(gè)芯片電極，流量傳感區(qū)域有部分鉻和鉑圖形為環(huán)境溫度測(cè)量，最后同時(shí)進(jìn)行壓力傳感薄膜與流量傳感薄膜下硅刻蝕。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是該微傳感芯片集成壓力、流量、溫度等參數(shù)測(cè)量、體積小、制造工藝簡單、可靠性高。