本發(fā)明公開了一種具有高遷移率的非金屬共摻雜ZnO透明導(dǎo)電薄膜,該薄膜為生長于柔性襯底上的ZnO基薄膜,其化學(xué)組成為Zn1-x-yAxByO,其中0< x≦0.50,0< y≦0.40, ?A為氟、氯、硫、硒中的一種,B為硼、氫中的一種,且A和B的原子比例滿足1< x : y≦10。制備該薄膜采用射頻磁控濺射法,通過結(jié)合氫等離子處理和真空熱退火的手段,從而制得導(dǎo)電性能良好的透明導(dǎo)電薄膜。本發(fā)明制備的薄膜結(jié)晶性能好,薄膜生長平整,光透過率在80%以上,電阻率可降至10-3數(shù)量級,方阻可達到81.9。可應(yīng)用在
太陽能電池前電極、薄膜晶體管、紫外探測器、透明顯示屏等領(lǐng)域。
聲明:
“具有高遷移率的非金屬共摻雜ZnO透明導(dǎo)電薄膜及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)