本發(fā)明涉及金剛石色心領(lǐng)域,具體為一種納米金剛石中高亮度硅空位色心的制備方法?;跉怏w摻雜方式在微波等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備引入四甲基
硅烷氣體,在襯底上生長(zhǎng)硅摻雜納米金剛石薄膜,金剛石晶粒尺寸小于100nm,采用機(jī)械剝離或者濕法刻蝕方法將襯底去掉,得到自支撐薄膜并研磨處理得到納米金剛石粉體,將納米金剛石粉體進(jìn)行550~650℃空氣氣氛下退火5~10min,獲得硅空位色心在室溫激發(fā)條件下其738nm熒光峰與金剛石拉曼峰強(qiáng)度比值大于10。從而,在納米金剛石中可控?fù)诫s硅原子獲得硅空位色心,并實(shí)現(xiàn)硅空位色心在室溫條件下高亮度發(fā)光的顆粒制備。本發(fā)明制備的納米金剛石具有非常強(qiáng)的SiV發(fā)光性能,可以用于生物熒光標(biāo)記,高精度溫度磁性測(cè)量等領(lǐng)域。
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“納米金剛石中高亮度硅空位色心的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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