基于隱退化的金屬封裝功率MOSFET貯存可靠性檢測(cè)技術(shù)，其步驟如下：1.確定金屬封裝功率MOSFET溫度循環(huán)加速貯存試驗(yàn)方案；2.建立金屬封裝功率MOSFET隱退化模型；3.估計(jì)金屬封裝功率MOSFET隱退化模型參數(shù)；4.評(píng)估溫度循環(huán)加速貯存條件下金屬封裝功率MOSFET貯存可靠性及貯存壽命；5.評(píng)估實(shí)際貯存條件下金屬封裝功率MOSFET貯存可靠壽命。本發(fā)明為金屬封裝功率MOSFET提供一種貯存可靠性及貯存壽命的無損檢測(cè)技術(shù)，可推廣至其它氣密封裝產(chǎn)品的貯存可靠性檢測(cè)，提高了氣密封裝產(chǎn)品的貯存可靠性檢測(cè)水平。