本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)及其形成方法、半導(dǎo)體器件的測(cè)試方法，所述半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)包括：至少一個(gè)半導(dǎo)體器件、至少兩個(gè)測(cè)試端、至少四個(gè)單向?qū)ńY(jié)構(gòu)；其中，半導(dǎo)體器件形成在襯底；一個(gè)半導(dǎo)體器件連接有兩個(gè)測(cè)試端；一個(gè)測(cè)試端和一個(gè)半導(dǎo)體器件之間并聯(lián)連接有兩個(gè)單向?qū)ńY(jié)構(gòu)，所述兩個(gè)單向?qū)ńY(jié)構(gòu)的導(dǎo)通方向相反。采用本發(fā)明提供的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)對(duì)半導(dǎo)體器件進(jìn)行測(cè)試時(shí)，可以定位出異常位置，從而能夠僅對(duì)異常位置進(jìn)行失效分析，避免了由于盲目全面的失效分析，而浪費(fèi)失效分析的機(jī)臺(tái)資源以及人力資源的情況發(fā)生，提高了效率，降低了成本。