一種預測半導體器件壽命的工作電壓的方法：在半導體器件柵端施加應力電壓以K倍增加，在應力施加過程中，柵電壓在VGstress_ 2和VGmeasure之間循環(huán)跳轉，漏電壓在0和VDmeasure之間循環(huán)跳轉，當柵電壓為VGmeasure，漏電壓為VDmeasure時監(jiān)測漏電流ID；將多次應力下得到的ΔVth等效轉換到VGstress_ 1下的閾值電壓退化；計算出任意工作電壓VG下的等效應力時間；對VG進行遍歷，得到失效幾率隨VG的變化關系；對應特征失效幾率的工作電壓VG即滿足半導體器件10年壽命的工作電壓VDD；根據(jù)目標要求的特征失效幾率，確定VDD的值。本發(fā)明僅用一個半導體器件并且可以快速有效地提取目標要求的失效幾率下的10年壽命對應的VDD，提供了納米尺度半導體器件幾率性VDD有效的預測方法。