在當(dāng)今快速發(fā)展的科技時(shí)代,半導(dǎo)體技術(shù)作為現(xiàn)代工業(yè)的核心,一直是全球科研和產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的焦點(diǎn)。2025年2月25日,華能重慶珞璜發(fā)電有限責(zé)任公司在這一領(lǐng)域取得了令人矚目的成就。該公司研發(fā)的“半導(dǎo)體低溫元素汞發(fā)生器”技術(shù)正式通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局的審核并獲得授權(quán),這不僅是華能在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的一次重大突破,也為中國(guó)新能源與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的融合發(fā)展注入了新的動(dòng)力。
華能重慶珞璜發(fā)電有限責(zé)任公司一直以來(lái)致力于推動(dòng)能源技術(shù)的創(chuàng)新與升級(jí)。此次研發(fā)的“半導(dǎo)體低溫元素汞發(fā)生器”技術(shù),專(zhuān)注于解決半導(dǎo)體制造過(guò)程中對(duì)低溫元素汞的高效利用問(wèn)題。該技術(shù)通過(guò)創(chuàng)新的設(shè)計(jì)和工藝,實(shí)現(xiàn)了在低溫條件下對(duì)汞元素的精準(zhǔn)控制和高效發(fā)生,這對(duì)于提升半導(dǎo)體制造的精度和效率具有重要意義。
在半導(dǎo)體制造中,汞元素的應(yīng)用雖然相對(duì)小眾,但在某些高端
芯片制造和特殊工藝中,汞元素的低溫發(fā)生技術(shù)是不可或缺的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。華能重慶珞璜發(fā)電有限責(zé)任公司的這一技術(shù)突破,不僅填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)在該領(lǐng)域的技術(shù)空白,還為公司在新能源與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的融合發(fā)展中提供了新的技術(shù)方向。
此次技術(shù)的成功研發(fā)并非一蹴而就。自2023年6月啟動(dòng)項(xiàng)目以來(lái),華能重慶珞璜發(fā)電有限責(zé)任公司投入了大量的科研資源,聯(lián)合國(guó)內(nèi)外頂尖科研團(tuán)隊(duì),經(jīng)過(guò)無(wú)數(shù)次的實(shí)驗(yàn)和優(yōu)化,最終實(shí)現(xiàn)了技術(shù)的成熟與穩(wěn)定。這一成果不僅體現(xiàn)了華能在技術(shù)創(chuàng)新上的決心和實(shí)力,也展示了公司在跨領(lǐng)域融合中的積極探索和實(shí)踐。
華能重慶珞璜發(fā)電有限責(zé)任公司表示,此次技術(shù)的成功研發(fā)只是公司在半導(dǎo)體領(lǐng)域邁出的第一步。未來(lái),公司將繼續(xù)加大在新能源與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)融合方面的投入,探索更多創(chuàng)新技術(shù),推動(dòng)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的自主可控發(fā)展。同時(shí),公司也將積極尋求與國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體企業(yè)的合作,共同推動(dòng)技術(shù)的商業(yè)化應(yīng)用,為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展貢獻(xiàn)中國(guó)智慧。
華能重慶珞璜發(fā)電有限責(zé)任公司在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域取得了重大突破,其研發(fā)的“半導(dǎo)體低溫元素汞發(fā)生器”技術(shù)正式獲得國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局的授權(quán)。這一成果不僅標(biāo)志著華能在半導(dǎo)體相關(guān)領(lǐng)域邁出了重要一步,也為中國(guó)新能源與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的融合發(fā)展提供了新的技術(shù)支撐。未來(lái),華能將繼續(xù)加大在該領(lǐng)域的投入,推動(dòng)更多創(chuàng)新技術(shù)的研發(fā)與應(yīng)用,助力中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展。