SKJ-M50-16金屬晶體生長(zhǎng)爐
型號(hào):SKJ-M50-16
產(chǎn)地:廣東
產(chǎn)品介紹
SKJ-M50-16金屬晶體生長(zhǎng)爐是用坩堝下降法生長(zhǎng)金屬晶體的設(shè)備，可在真空、大氣、惰性氣體或其他保護(hù)氣氛下、在可控的局部壓力狀態(tài)下運(yùn)行。根據(jù)金屬的屬性，本機(jī)可采用中頻感應(yīng)加熱電源，以及石墨電阻加熱兩種加熱方式；采用歐陸微處理器與熱電偶閉環(huán)控制爐溫，使結(jié)晶體按照一定的直徑進(jìn)行控制。
產(chǎn)品型號(hào)
SKJ-M50-16金屬晶體生長(zhǎng)爐
安裝條件
本設(shè)備要求在海拔1000m以下，溫度25℃±15℃，濕度55%Rh±10%Rh下使用。
1、水：設(shè)備配有自循環(huán)冷卻水機(jī)（加注純凈水或者去離子水）
2、電：AC380V 50Hz（63A空氣開(kāi)關(guān)），必須有良好接地
3、氣：設(shè)備腔室內(nèi)需充注氬氣（純度99.99%以上），需自備氬氣氣瓶（自帶?6mm雙卡套接頭）
4、工作臺(tái)：尺寸1500mm×600mm×700mm，承重200kg以上
5、通風(fēng)裝置：需要
主要特點(diǎn)
屬于小型晶體生長(zhǎng)爐，適合于大專(zhuān)院校、研究所使用。
技術(shù)參數(shù)
1、電源：208V-240V AC三相 50Hz/60Hz 15KW
2、爐體容積：約100L
3、爐管：石英管或剛玉管
5、加熱元件：1800級(jí)硅鉬棒
6、溫控系統(tǒng)：50段控溫程序
7、控溫精度：±1℃
8、工作溫度：連續(xù)工作1600℃，短時(shí)間工作1700℃
9、控溫方式：自動(dòng)程序控溫
10、生長(zhǎng)方法：區(qū)熔法（樣品固定不動(dòng)，爐體向上移動(dòng)）
11、移動(dòng)速度：1mm/h-10mm/h可調(diào)
12、快速移動(dòng)：手動(dòng)
13、結(jié)晶轉(zhuǎn)速：1rpm-50rpm
14、真空系統(tǒng)：機(jī)械泵和擴(kuò)散泵
15、極限真空度：10-5torr
標(biāo)準(zhǔn)配件
1、電源控制系統(tǒng)一套
2、機(jī)械控制系統(tǒng)一套
可選配件
Kathnal Super-1800級(jí)硅鉬棒
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河南 - 鄭州
2025年03月28日 ~ 30日
京公網(wǎng)安備 11010702002294號(hào)
