CVD 管式爐
簡介
帶真空站的分體式 CVD 管式爐是一款多功能、高性能的實(shí)驗(yàn)室設(shè)備，專為化學(xué)氣相沉積 (CVD) 應(yīng)用而設(shè)計(jì)。它采用分體式爐腔，便于接觸反應(yīng)樣品和快速冷卻。爐管由高溫石英制成，直徑為 60 毫米。該系統(tǒng)包括一個(gè) 4 通道 MFC 質(zhì)量流量計(jì)，配有 CH4、H2、O2 和 N2 源氣體，可對(duì)氣體流速進(jìn)行精確控制。真空站采用 4L/S 旋片
真空泵，最大真空壓力為 10 Pa。帶真空站的分室 CVD 管式爐具有先進(jìn)的功能和性能，是材料科學(xué)、半導(dǎo)體加工和其他領(lǐng)域各種研發(fā)應(yīng)用的理想選擇。
應(yīng)用
帶真空泵站的分室式 CVD 管式爐 CVD 設(shè)備是一種多功能的先進(jìn)設(shè)備，可用于材料科學(xué)、半導(dǎo)體制造和研發(fā)領(lǐng)域的各種應(yīng)用。該設(shè)備特別適用于需要精確控制溫度、氣流和真空度的工藝，是進(jìn)行高質(zhì)量材料合成和加工的重要工具。
納米材料合成：該爐非常適合納米線、納米薄膜和其他納米結(jié)構(gòu)材料的生長，這些材料對(duì)先進(jìn)電子和光電設(shè)備的開發(fā)至關(guān)重要。
真空鍍膜：它廣泛用于在各種基底上沉積薄膜，包括金屬膜、陶瓷膜和復(fù)合膜，這些薄膜對(duì)于增強(qiáng)材料在光學(xué)和電子學(xué)等應(yīng)用中的性能至關(guān)重要。
電池材料加工：該爐適用于電池材料的干燥和燒結(jié)，這是生產(chǎn)高性能電池的關(guān)鍵步驟。
材料干燥和燒結(jié)：用于陶瓷、耐火材料和特種材料的高溫?zé)Y(jié)，確保這些材料的固結(jié)和致密化。
氣氛和真空熱處理：立式管式爐的結(jié)構(gòu)允許對(duì)小型鋼件進(jìn)行淬火、退火和回火處理，以及立式 CVD 涂層，使其成為冶金工藝中的寶貴資產(chǎn)。
研發(fā)：它廣泛應(yīng)用于大學(xué)、研究所和工礦企業(yè)，用于進(jìn)行高溫實(shí)驗(yàn)、氣氛燒結(jié)、還原氣氛和 CVD/CVI 實(shí)驗(yàn)，為材料科學(xué)和技術(shù)的進(jìn)步做出貢獻(xiàn)。
特點(diǎn)
帶真空站 CVD 設(shè)備的分室 CVD 管式爐是專為先進(jìn)的化學(xué)氣相沉積（CVD）工藝而設(shè)計(jì)的精密設(shè)備。該爐集成了尖端技術(shù)，可提高薄膜沉積的效率和質(zhì)量，是研究和工業(yè)應(yīng)用的理想之選。以下是其主要特點(diǎn)和優(yōu)勢：
高薄膜沉積率：利用射頻輝光技術(shù)，該爐可顯著提高薄膜沉積速率，最高可達(dá) 10?/S。這種快速沉積對(duì)于高通量生產(chǎn)和研究至關(guān)重要，可節(jié)省時(shí)間并提高生產(chǎn)率。
大面積均勻性：該爐采用先進(jìn)的多點(diǎn)射頻進(jìn)料技術(shù)和專門的氣路分布，可確保高達(dá) 8% 的薄膜均勻性。這種均勻性對(duì)于在大面積基底上形成一致的高質(zhì)量涂層至關(guān)重要，從而提高了所生產(chǎn)材料的可靠性。
穩(wěn)定的沉積：該設(shè)計(jì)采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體工業(yè)理念，使基底之間的偏差小于 2%。這種高水平的一致性對(duì)于需要精確和可重復(fù)結(jié)果的應(yīng)用（如電子元件生產(chǎn)）至關(guān)重要。
穩(wěn)定的過程控制：設(shè)備的高穩(wěn)定性確保了 CVD 工藝的連續(xù)性和一致性。這種可靠性對(duì)于保持工藝完整性和降低運(yùn)行過程中出現(xiàn)缺陷或故障的風(fēng)險(xiǎn)至關(guān)重要。
智能控制系統(tǒng)：集成控制系統(tǒng)由 Bonage 獲得專利，包括采用閉環(huán)負(fù)反饋機(jī)制的高性能溫度控制系統(tǒng)。該系統(tǒng)與高質(zhì)量的進(jìn)口電氣元件相結(jié)合，提高了設(shè)備的整體性能和可靠性，使其幾乎無需維護(hù)。
應(yīng)用廣泛：該爐適用于沉積各種類型的薄膜，包括金屬、陶瓷和復(fù)合薄膜，支持連續(xù)生長工藝，并可輕松擴(kuò)展等離子清洗和蝕刻等附加功能。這種多功能性使其成為滿足各種研究和生產(chǎn)需求的寶貴資產(chǎn)。
原理
帶真空站 CVD 設(shè)備的分室 CVD 管式爐是用于化學(xué)氣相沉積（CVD）過程的高溫真空爐。CVD 是一種通過氣體或蒸汽的化學(xué)反應(yīng)在基底上沉積薄膜材料的過程。帶真空站的分體式 CVD 管式爐 CVD 設(shè)備采用分體式爐膛，便于在 CVD 過程中接觸基底。真空站用于在爐腔內(nèi)形成真空，這有助于去除雜質(zhì)并提高沉積薄膜的質(zhì)量。
優(yōu)勢
直觀的樣品觀察和快速冷卻：分體式爐腔可直接觀察反應(yīng)樣品并快速冷卻。
高溫能力：最高工作溫度可達(dá) 1200℃，應(yīng)用廣泛。
精確的氣體控制：帶有 CH4、H2、O2 和 N2 源的 4 通道 MFC 質(zhì)量流量計(jì)可確保精確穩(wěn)定的氣體供應(yīng)。
真空兼容性：真空站配備 4L/S 旋片真空泵，最大真空壓力可達(dá) 10Pa，可進(jìn)行各種真空處理。
高速加熱和冷卻：爐腔滑動(dòng)系統(tǒng)有助于快速加熱和冷卻，從而實(shí)現(xiàn)高效的樣品處理。
先進(jìn)的溫度控制：PID 可編程溫度控制，精度極高，具有遠(yuǎn)程控制和集中控制功能。
用戶友好界面：CTF Pro 控制器配備 7 英寸 TFT 觸摸屏，提供直觀的程序設(shè)置和數(shù)據(jù)分析。
多功能真空設(shè)置：不銹鋼真空法蘭帶有可調(diào)整的端口，可容納不同的真空泵站，以適應(yīng)定制的真空環(huán)境。
高效節(jié)能：水冷系統(tǒng)和氣體后流設(shè)計(jì)將能耗降至最低。
適用性廣：適用于真空和大氣保護(hù)下的 CVD、擴(kuò)散和其他熱處理。
安全優(yōu)勢
Kindle Tech 管式爐具有過流保護(hù)和過溫報(bào)警功能，爐子會(huì)自動(dòng)關(guān)閉電源
爐子內(nèi)置熱耦合檢測功能，一旦檢測到破損或故障，爐子將停止加熱并報(bào)警
KT-CTF12 Pro 支持?jǐn)嚯娭貑⒐δ?，故障后接通電源時(shí)，爐子將恢復(fù)加熱程序
技術(shù)規(guī)格
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河南 - 鄭州
2025年03月28日 ~ 30日
京公網(wǎng)安備 11010702002294號(hào)
