儀器簡介
Nano Indenter G200 是用于納米力學(xué)測試的最精確、最靈活、最容易使用的儀器。電磁驅(qū)動器具有極佳的力和位移動態(tài)范圍,可測量 6 個數(shù)量級(從納米到毫米)的變形。其應(yīng)用包括半導(dǎo)體、薄膜和 MEM(晶圓應(yīng)用);硬質(zhì)涂層和 DLC 膜;
復(fù)合材料、纖維和聚合物;金屬和陶瓷;以及生物材料和生物學(xué)。
性能指標(biāo)
位移能力
壓頭總的位移范圍: ≥1.5mm
最大壓痕深度:3200mm
位移分辨率: £0.02nm
載荷能力
最大載荷(標(biāo)配): 3500 mN
載荷分辨率:£50nN
高載荷選件: 10N /50nN
DCM壓痕選件: 10mN/1nN
樣品臺
定位精度: 1um
定位控制模式:全自動遙控
光學(xué)顯微鏡
總的放大倍率: 250倍和1000倍
鏡鏡頭: 10X 和40X
加載方式
恒載荷速率、恒位移速率、恒應(yīng)變速率以及階梯加載。
測試項(xiàng)目
測試材料微納米尺度薄膜材料的硬度與楊氏模量
樣品要求
上下表面平行并經(jīng)拋光,直徑不超過30mm,高度不超過35mm,提供泊松比。