高真空磁控濺射離子鍍膜設(shè)備
高真空磁控濺射離子鍍膜設(shè)備是一種在現(xiàn)代冶金和材料科學(xué)領(lǐng)域中不可或缺的先進(jìn)工具。該設(shè)備通過在高真空環(huán)境下進(jìn)行磁控濺射或多弧離子鍍膜，能夠制備出高質(zhì)量的薄膜材料，廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)和科研領(lǐng)域。設(shè)備的主要功能包括高真空獲取與測(cè)量、樣品或工件的精確放置與運(yùn)動(dòng)控制、磁控靶或多弧源的靈活選擇以及輔助鍍膜工藝的集成。
一、 設(shè)備主要功能及組成
1. 設(shè)備主要由高真空獲得與測(cè)量系統(tǒng)、樣品臺(tái)或工件轉(zhuǎn)架系統(tǒng)、磁控靶或多弧源系統(tǒng)、輔助鍍膜工藝系統(tǒng)及電氣控制系統(tǒng)等五部分組成。
2. 高真空機(jī)組采用分子泵機(jī)組或離子泵機(jī)組。
3. 樣品臺(tái)或工件轉(zhuǎn)架系統(tǒng)可根據(jù)工藝需要靈活定制所需功能。
4. 多種磁控靶及多弧源可選，全部模塊化設(shè)計(jì)，標(biāo)準(zhǔn)接口法蘭。
5. 輔助鍍膜工藝系統(tǒng)可根據(jù)需要靈活搭配。
6. 可選配膜厚控制儀，進(jìn)行在線測(cè)量和監(jiān)控。
7. 電氣控制系統(tǒng)具有多種報(bào)警功能，能及時(shí)提示故障情況，保障設(shè)備安全運(yùn)行。
二、 主要技術(shù)參數(shù)
1． 真空室尺寸：?450、?540、?650、?750、?1000、?1200（定制）
2． 極限真空度：≤6.7×10-5Pa（分子泵機(jī)組）/ ≤5.0×10-6Pa（離子泵機(jī)組）
3． 漏率：≤10-7 Pa?L/s
4． 可選磁控靶：1.5英寸~3英寸圓形靶 / 矩形單靶、中頻孿生靶 / 非標(biāo)磁控靶
5． 磁控靶電源：直流源 / 13.56MHz射頻源 / 中頻源
6． 可選多弧靶（小弧源）：Arc60 / Arc100 / 非標(biāo)
7． 輔助鍍膜裝備：霍爾離子源、線性陽極層離子源、輝光清洗靶
8． 可選偏壓電源：-200V偏壓電源
9． 樣品臺(tái)：可在線升降、旋轉(zhuǎn)、水冷、襯底加熱
10． 工件轉(zhuǎn)架：三軸聯(lián)動(dòng)（公轉(zhuǎn)、自轉(zhuǎn)、單樣品自轉(zhuǎn)），增強(qiáng)鍍膜均勻性，可加熱
11． 可選配工藝系統(tǒng)：手套箱工作站、樣品預(yù)處理室、自動(dòng)樣品庫等
12． 供電電源：380V 50Hz（三相五線制）
13． 進(jìn)水排管徑：DN25
14． 工作水壓：0.2Mpa
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河南 - 鄭州
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