松瓷第三代單晶爐是一種先進(jìn)的低氧型單晶爐，它在惰性氣體環(huán)境中，利用石墨加熱器熔化多晶硅，并通過獨(dú)特的拉晶工藝和直拉法，生長(zhǎng)出無(wú)錯(cuò)位且低氧含量的單晶硅。該設(shè)備在36吋熱場(chǎng)下，可將氧含量控制在6-7ppm，相比同等條件，同心圓現(xiàn)象出現(xiàn)，氧含量降低了40%。憑借松瓷獨(dú)特的降氧方案設(shè)計(jì)，單晶硅棒的氧含量能顯著降低，從而有效提升N型210電池片的效率，提升幅度在0.1%-0.2%之間。

松瓷第三代單晶爐:低氧型單晶爐是一種在惰性氣體(氣、氮?dú)?環(huán)境中,用石墨加熱器將多晶硅熔化,運(yùn)用獨(dú)特的拉晶工藝,用直拉法生長(zhǎng)無(wú)錯(cuò)位低氧含量單晶的設(shè)備。

36吋熱場(chǎng)拉制N10氧含量控制范圍

6-7ppm同等條件下，同心圓出現(xiàn)

無(wú)氧含量降低40%