本發(fā)明涉及一種使用碎晶體作為初始原料的水熱法生長(zhǎng)氟硼鈹酸鉀/鈉單晶體的方法,其為將作為營(yíng)養(yǎng)料的氟硼鈹酸鉀/鈉的碎晶放置于黃金襯套中的底部,按60~80%的充滿度,加入含有0~2.0MOL/L礦化劑的去離子水或蒸餾水溶液,調(diào)整溶液的PH值在2.0~10.0之間;在黃金襯套的頂部懸掛C方向的氟硼鈹酸鉀/鈉晶體作為籽晶;加熱使得生長(zhǎng)區(qū)平均溫度為300~450℃,溶解區(qū)平均溫度為400~500℃,壓力P≤200MPA;經(jīng)10~90天恒溫生長(zhǎng),得到氟硼鈹酸鉀/鈉單晶體。本發(fā)明工藝簡(jiǎn)單、成本低廉,可以使得在晶體C方向生長(zhǎng)的長(zhǎng)度達(dá)到厘米量級(jí)甚至更高;得到的晶體質(zhì)量也優(yōu)于助熔劑法生長(zhǎng)的晶體,更有利于應(yīng)用。
聲明:
“水熱法生長(zhǎng)氟硼鈹酸鉀/鈉單晶體的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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