在如DRAM的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件中,在隔離絕緣膜1.2的邊緣部分上分布有導(dǎo)電薄膜1.11’,所述隔離絕緣膜與半導(dǎo)體襯底1.1相對(duì),中間是薄的絕緣膜。該導(dǎo)電薄膜1.11’電連于存儲(chǔ)電容器的下電極1.11。該新穎結(jié)構(gòu)可以獨(dú)立于冶金pn結(jié)的位置來控制電學(xué)性pn結(jié)的位置。從而實(shí)現(xiàn)了數(shù)據(jù)保留時(shí)間長(zhǎng)、有效抑制漏泄電流的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。
聲明:
“半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及其制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)