一種選擇性電鍍半導體輸入/輸出(I/O)焊盤的方法,包含在半導體基體的鈍化層上形成鈦-鎢(TiW)層,所述TiW層還延伸到成形于所述鈍化層上用于露出所述I/O焊盤的開口中,使得TiW層覆蓋所述開口的側(cè)壁和所述I/O焊盤的頂面。在所述TiW層上形成種子層。選擇性去除所述種子層的一部分,使剩余的種子層材料對應(yīng)于所述I/O焊盤的所需的互連冶金位置。使用所述TiW層作為導電電鍍介質(zhì),在所述種子層材料上電鍍至少一個金屬層。
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