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調(diào)控高溫熔鹽中電化學沉積硅擇優(yōu)取向生長方法及裝置

1088   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 14:46:34
一種調(diào)控高溫熔鹽中電化學沉積硅擇優(yōu)取向生長方法及裝置,屬于高溫熔鹽中電化學沉積硅領域。該方法以冶金硅為陽極,陰極材料為陰極,以氟硅酸鹽和堿金屬鹵化物的混合物為熔鹽電解質(zhì),采用其裝置實現(xiàn)密封,并從進氣口持續(xù)通入惰性氣體,從出氣口排出惰性氣體,保持反應器內(nèi)正壓;升溫,構(gòu)建起高溫、常壓、無水,隔絕空氣的環(huán)境;采用其裝置對熔鹽進行攪拌;電極間施加電壓電沉積硅;在電沉積硅時,通過攪動熔鹽電解質(zhì)改變硅沉積電化學過程傳質(zhì),實現(xiàn)調(diào)控高溫熔鹽中電化學沉積硅膜擇優(yōu)取向生長,甚至得到單晶硅沉積物。并提供了實現(xiàn)攪動熔鹽并密封的裝置,其實現(xiàn)了高溫條件下,常壓、無水,隔絕空氣的熔鹽環(huán)境中攪動熔鹽的功能,成本低、操作簡單。
聲明:
“調(diào)控高溫熔鹽中電化學沉積硅擇優(yōu)取向生長方法及裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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