Zr元素摻雜AZO靶材, 采用
粉末冶金法工藝方法,將原料粉ZrO2粉與AZO粉混合,使摻雜的ZrO2含量為0.5%,然后對原料粉體進行球磨處理,得到粒度細而均勻的類球形顆粒;將處理過的粉末進行裝模;裝模后進行冷等靜壓,壓力范圍100MPa~200MPa,而后進行燒制,燒制溫度范圍為1200℃~1500℃;目的是優(yōu)化晶體結(jié)構(gòu)和表面形貌,增強AZO薄膜的光電特性,提高薄膜的穩(wěn)定性。從而完善薄膜性能、降低反應溫度、提高控制精度、降低制備成本和適應大規(guī)模生產(chǎn)。
聲明:
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我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)