在半導(dǎo)體晶片上的鈍化層上形成擴(kuò)大的焊盤,再將晶片切割成單獨(dú)的電路
芯片。切割后,封裝各個(gè)芯片,方法是:將每個(gè)芯片固定在封裝件核心中,并在結(jié)果組件上制成一層或多層金屬化層。在至少一個(gè)實(shí)施例中,利用受控致密芯片連接(C4)處理的高熔融溫度交替隆起物冶金(ABM)形式在晶片上的焊盤上形成較寬的導(dǎo)電平臺(tái)。
聲明:
“利用芯片上焊盤擴(kuò)大部分封裝微電子器件的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)