本發(fā)明公開(kāi)了一種寬光譜納米陣列探測(cè)器,包括氧化硅襯底,氧化硅襯底的表面設(shè)置ZnO納米柱周期陣列結(jié)構(gòu),ZnO納米柱周期陣列結(jié)構(gòu)表面設(shè)置
鈣鈦礦納米柱周期陣列結(jié)構(gòu),ZnO納米柱和鈣鈦礦納米柱上下對(duì)齊構(gòu)成軸向異質(zhì)結(jié)柱體,氧化硅襯底的表面及軸向異質(zhì)結(jié)柱體的表面設(shè)置透明導(dǎo)電薄膜,位于ZnO納米柱周期陣列結(jié)構(gòu)兩側(cè)的透明導(dǎo)電薄膜的表面設(shè)置金屬柵線(xiàn)電極作為導(dǎo)電電極供外電路驅(qū)動(dòng)。本發(fā)明還公開(kāi)了一種寬光譜納米陣列探測(cè)器的制備方法。本發(fā)明利用鈣鈦礦及納米柱的周期陣列拓展ZnO的光譜響應(yīng)范圍,在不損失ZnO紫外光譜響應(yīng)的基礎(chǔ)上產(chǎn)生較高的可見(jiàn)光譜的響應(yīng)。
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“寬光譜納米陣列探測(cè)器及其制備方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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