本發(fā)明通過(guò)一種在溶液中生長(zhǎng)Ge基
鈣鈦礦單晶的方法及其應(yīng)用,實(shí)現(xiàn)了基于混合酸溶液的鈣鈦礦單晶的制備,可用于AGeX3(A=Rb、Cs,X=Cl、Br、I)毫米級(jí)單晶的生長(zhǎng)。該方法以氧化鍺和鹵化氫的水溶液、次磷酸混合反應(yīng)并加入鹵化銫或鹵化銣的水溶液,加熱至飽和后以鹵化氫的水溶液及次磷酸為溶劑進(jìn)行單晶靜置生長(zhǎng)一周后即可得到毫米級(jí)單晶。本發(fā)明針對(duì)Ge基鈣鈦礦在傳統(tǒng)溶劑(DMSO/DMF)中難溶的問(wèn)題提供了解決辦法。并且該方法合成簡(jiǎn)單,成本低廉,合成的單晶質(zhì)量高、尺寸大、缺陷密度低。通過(guò)改變X位的鹵素配比可調(diào)控帶隙,應(yīng)用在
太陽(yáng)能電池、探測(cè)器、非線性光學(xué)等領(lǐng)域。
聲明:
“熱溶液環(huán)境無(wú)籽晶生長(zhǎng)Ge基鈣鈦礦單晶方法及應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)