儀器簡(jiǎn)介

飛行時(shí)間——二次離子質(zhì)譜儀(TOF-SIMS)采用質(zhì)譜技術(shù)分析材料表面原子層以確定表面元素組成和分子結(jié)構(gòu)。其工作原理是樣品表面被高能聚焦的一次離子轟擊時(shí)，一次離子注入被分析樣品，把動(dòng)能傳遞給固體原子，通過(guò)層疊碰撞，引起中性粒子和帶正負(fù)電荷的二次離子發(fā)生濺射，再通過(guò)測(cè)量不同二次離子的飛行時(shí)間測(cè)量它們的質(zhì)量/荷質(zhì)比，對(duì)被轟擊的樣品的表面和內(nèi)部元素分布特征進(jìn)行分析。二次離子質(zhì)譜可以分析包括氫在內(nèi)的全部元素，并能給出同位素的信息、分析化合物組分和分子構(gòu)成，靈敏度好、質(zhì)量分辨率高、可測(cè)量的分子量范圍大，還可以進(jìn)行微區(qū)成分成像和深度剖面分析。

性能指標(biāo)

高分辨質(zhì)譜：

靈敏度：靈敏度：10^9個(gè)原子/cm^2(上標(biāo))

可檢測(cè)質(zhì)量范圍：1-3000 amu

質(zhì)量分辨率：原子：1000 (FWHM);有機(jī)物：2000 (FWHM)

質(zhì)量準(zhǔn)確度：0.56 mamu

微區(qū)成像：

SIMS化學(xué)成像，空間分辨率：0.2 μm

二次電子成像

深度剖面：深度分辨率：1.1 nm

一次離子源：AuGa液態(tài)金屬離子

離子束能量：25 keV

脈沖微區(qū)尺寸：0.2 μm(低電流)，0.5 μm(高電流)

離子刻蝕槍：Cs+離子槍，離子束能量：0.5-5 keV

正、負(fù)離子SIMS模式一鍵切換

通氧，幫助提高正二次離子產(chǎn)額

低能脈沖電子槍(30eV)，用于絕緣樣品分析

測(cè)試項(xiàng)目

固體表面全元素和1-3000有機(jī)物質(zhì)譜分析，痕量元素/有機(jī)物定量，二次離子成像、痕量元素深度分布分析

樣品要求

薄樣品架：16.5×13.5 mm以內(nèi)，厚度方向500μm以內(nèi)厚樣品架：16.5×13.5 mm以內(nèi)，厚度方向約1 mm4位置可變厚度樣品架：8×8 mm以內(nèi)，厚度方向6 mm以內(nèi)