設(shè)備名稱 Equipment Name

單晶槽式制絨設(shè)備 Batch-type Mono-crystalline Texturing Equipment

設(shè)備型號 Equipment Model

SC-CSZ12000F-16G

設(shè)備用途 Equipment Application

主要對單晶硅太陽能電池用硅片進(jìn)行絨面腐蝕和清洗處理。

Used for texturing& cleaning of mono crystalline wafers.

工藝流程 Process Flow

去損傷→預(yù)清洗→單晶制絨→后清洗或O3清洗→酸洗→預(yù)脫水→烘干(供參考)

Saw damage removal→Pre-cleaning→Mono-texturing→Post-cleaning/O3 cleaning→Acid cleaning→Hot water drying→Drying (for reference only)

技術(shù)特點(diǎn) Features

1、產(chǎn)能：600片/批， 12000片/小時(shí)——210硅片(100片花籃);720片/批，15000片/小時(shí)——182硅片(120片花籃)。

Throughput:600pcs/batch,12000pcs/h——210 wafer(100pcs cassette),720pcs/batch,15000pcs/h——182 wafer(120pcs cassette).

2、工藝槽循環(huán)量可調(diào)。

Process bath circulation volume adjustable.

3、制絨金字塔均勻，刻蝕深度可調(diào)。

Uniform pyramids texture, etch depth adjustable.

4、支持最薄120μm硅片。

Wafer thickness handling capability up to 120μm.

5、潔凈干燥區(qū)域，自潔凈干燥系統(tǒng)。

With clean dry area and self-clean dry system.

6、低H2O2消耗。

Low H2O2 consumption.

7、快速換液，在線換液。

Quick inline bath change.

8、支持MES、RFID及選配在線稱重功能。

Available with MES, RFID system, inline weight testing optional.

設(shè)備參數(shù) Parameters

型號 Model：SC-CSZ12000F-16G

硅片尺寸(mm)Wafer Size：18X/ 210/ 230 可選 optional

Uptime：≥98%

破片率 Breakage Rate：≤0.01%

外形尺寸(mm)Footprint：26420(L) X 2880(W) X 2523(H)

清洗籃裝載能力Loading Capacity：6個(gè)花籃/批

最大提升重量Max. Lifting Weight：100kg

產(chǎn)能Throughput：330000片/天(182硅片)

清洗節(jié)拍Cycle Time：2.85min/carrier(用戶自定，可調(diào)User-defined,adjustable)

功率消耗Power Consumption：240KW+144KW+144KW(熱水機(jī)Heater )