全部
▼
搜索
熱搜：
OTF-1200X-50-DSL是一款專為定向生長單壁碳納米管（SWCNTs）設(shè)計的水平滑軌式CVD生長爐，同時也適用于在硅片上生長低熔點金屬單晶。其爐管直徑為Φ50mm，爐體滑動速度可在1mm/s至100mm/s范圍內(nèi)調(diào)節(jié)，并支持左右反復(fù)滑動及自定義滑動距離，為實驗提供了高度的靈活性。該系統(tǒng)配備可設(shè)置30段程序的高溫爐、一根Φ50×1000mm的石英管和一套不銹鋼真空法蘭，能夠滿足多種材料生長的需求。在冶金領(lǐng)域，該設(shè)備可用于研究低熔點金屬的單晶生長機制，為開發(fā)高性能金屬材料提供重要的實驗支持。
OTF-1200X-50S-PE-SL是一款小型滑動開啟式PECVD管式爐系統(tǒng)，專為高效薄膜沉積實驗設(shè)計。該系統(tǒng)配備等離子射頻電源、直徑50mm的開啟式管式爐（含真空法蘭和連接管道）以及機械泵，能夠?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)定的等離子體增強化學(xué)氣相沉積。其安裝尺寸為1500mm×600mm×1200mm，重量約160kg，結(jié)構(gòu)緊湊且操作便捷。此外，該設(shè)備可根據(jù)實驗需求靈活升級為不同類型的PECVD系統(tǒng)，性價比高，非常適合高校、科研機構(gòu)和企業(yè)實驗室在薄膜制備、材料表面改性等領(lǐng)域的研究應(yīng)用。
OTF-1200X-5L-R-CVD是一款1200℃旋轉(zhuǎn)CVD管式爐，專為電池粉體材料表面包覆及其他粉體材料表面修飾設(shè)計。爐體配備3個加熱區(qū)，確保溫度均勻性，同時搭載4通道精密混氣系統(tǒng)，可精準控制反應(yīng)氣體。其安裝尺寸為1950mm×600mm×1320mm，重量約130kg，結(jié)構(gòu)緊湊且功能強大，能夠滿足高校、科研機構(gòu)和企業(yè)實驗室在材料表面處理和修飾方面的多樣化需求。
KT-PE12 帶液體氣化器的滑動 PECVD 系統(tǒng)由一個 500W 射頻等離子源、一個 TF-1200 滑動爐、4 個 MFC 氣體精確控制單元和一個標準真空站組成。爐腔軌道滑動系統(tǒng)，可實現(xiàn)快速加熱和快速冷卻，可選配輔助強制空氣循環(huán)風(fēng)扇，加快冷卻速度；可選配滑動自動工作裝置；最高工作溫度可達 1200℃。工作溫度最高可達 1200℃，爐管為一根直徑 60 毫米的石英管；4 通道 MFC 質(zhì)量流量計，氣源為 CH4、H2、O2 和 N2；真空站為一臺 4L/S 旋片真空泵，最大真空壓力可達 10P。真空壓力可達 10Pa。
KT-CTF14 多區(qū) CVD 爐有 2 個加熱區(qū)，最高工作溫度可達 1200℃，爐管為直徑 60mm 的石英管；4 通道 MFC 質(zhì)量流量計，氣源為 CH4、H2、O2 和 N2；真空站為 4L/S 旋片真空泵，最大真空壓力可達 10Pa。真空壓力可達 10Pa。
帶真空站的分體式 CVD 管式爐是一款多功能、高性能的實驗室設(shè)備，專為化學(xué)氣相沉積 (CVD) 應(yīng)用而設(shè)計。它采用分體式爐腔，便于接觸反應(yīng)樣品和快速冷卻。爐管由高溫石英制成，直徑為 60 毫米。該系統(tǒng)包括一個 4 通道 MFC 質(zhì)量流量計，配有 CH4、H2、O2 和 N2 源氣體，可對氣體流速進行精確控制。真空站采用 4L/S 旋片真空泵，最大真空壓力為 10 Pa。帶真空站的分室 CVD 管式爐具有先進的功能和性能，是材料科學(xué)、半導(dǎo)體加工和其他領(lǐng)域各種研發(fā)應(yīng)用的理想選擇。
云南 - 昆明
2025年03月29日 ~ 31日
