本發(fā)明公開(kāi)了一種電子元器件用保護(hù)膜的制備方法,屬于電子元器件領(lǐng)域,其原料由乙烯?丙烯酸共聚物、
硅烷偶聯(lián)劑、天然植物膠、草木灰、
低品位氧化鋅礦、硬脂酸、沸石粉和脂肪酸聚乙二醇酯組成,然后經(jīng)過(guò)粉碎、熔融反應(yīng)、制膜或涂覆制得;本發(fā)明制得的厚度為10?100μm的薄膜或者厚度為30?100μm的涂覆膜,以200℃×1小時(shí)進(jìn)行處理后的30℃下的拉伸強(qiáng)度達(dá)到51MPa以上、伸長(zhǎng)率為在5%以下,具有優(yōu)異的機(jī)械性能,可以作為自支撐膜或者復(fù)合膜的基膜;其表面電阻值為1×106Ω≤Rs<1×109Ω,非接觸防靜電電壓值達(dá)到12kv以上,具有優(yōu)異的防靜電性能,同時(shí),具有優(yōu)異的耐酸堿耐高溫低溫性能。
聲明:
“電子元器件用保護(hù)膜的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)