本發(fā)明公開了一種雙室單聯(lián)真空循環(huán)脫氣爐及太陽能級(jí)
多晶硅的制備,該雙室單聯(lián)真空循環(huán)脫氣爐包括:上下設(shè)置的上真空室和下真空室,中間通過連接管連接;其制備方法包括:1)將冶金硅料放入下真空室,加熱形成硅液,同時(shí)對(duì)上真空室加熱;2)下真空室的硅液通過連接管連接到上真空室;3)對(duì)上下真空室分別進(jìn)行抽真空;同時(shí),對(duì)連接管中通入氣體;4)通過控制上下真空室之間的壓力差和對(duì)連接管中通入氣體,使硅液在上下真空室間循環(huán),得到太陽能級(jí)多晶硅原料。本發(fā)明能生產(chǎn)出成份均勻、硼磷含量較低的太陽能級(jí)多晶硅原料,并能量產(chǎn),而且該太陽能級(jí)多晶硅原料能直接進(jìn)行鑄錠或拉單晶。
聲明:
“雙室單聯(lián)真空循環(huán)脫氣爐及太陽能級(jí)多晶硅的制備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)