本發(fā)明涉及靶材生產(chǎn)制備領域,具體而言,涉及硫族金屬化合物相變材料濺射靶材的生產(chǎn)方法,按配比準備金屬化合物的原料;對原料進行真空熔煉處理,得到金屬化合物;將金屬化合物進行
粉末冶金處理,得到干燥的金屬化合物粉末;將干燥的金屬化合物粉末進行真空熱壓燒結處理,得到塊狀的金屬化合物相變材料濺射靶材。本發(fā)明所述硫族金屬化合物相變材料濺射靶材的生產(chǎn)方法,生產(chǎn)一系列金屬化合物相變材料。這些材料,能夠?qū)崿F(xiàn)現(xiàn)有的金屬化合物相變材料的相變功能之外,且生產(chǎn)金屬化合物相變材料的成本降低。而且,制成的各種金屬化合物相變材料比傳統(tǒng)的GeSbTe金屬化合物相變材料熔點低,故其相變的溫度點也較低,使得工藝的窗口得到拓寬。
聲明:
“硫族金屬化合物相變材料濺射靶材的生產(chǎn)方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)