本發(fā)明提供了一種氧化硅陶瓷靶坯的制備方法,所述制備方法包括以下步驟:球磨混合二氧化硅粉、粘結(jié)劑和溶劑,得到噴霧造粒用料漿,再對(duì)噴霧造粒用料漿進(jìn)行噴霧造粒得到球形混合粉末;所述球形混合粉末進(jìn)行裝模、真空熱壓并冷卻得到所述氧化硅陶瓷靶坯;其中,所述真空熱壓包括依次四段升溫和兩段加壓;所述制備方法采用真空熱壓燒結(jié)法制備出高純度、高致密度、成材率高的氧化硅靶材,致密度>99%,純度≥99.99%,滿足磁控濺射對(duì)靶材純度、密度要求。
聲明:
“氧化硅陶瓷靶坯的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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