一種利用X射線光電子能譜儀快速刻蝕分析材料界面元素化學(xué)狀態(tài)的方法,它涉及一種分析材料界面元素化學(xué)狀態(tài)的方法。本發(fā)明目的是要解決采用
半導(dǎo)體材料化合物或過渡族金屬元素化合物時(shí),在僅采用單粒子模式刻蝕膜層分析過程中,不能真實(shí)反映實(shí)際膜層化學(xué)元素化學(xué)狀態(tài),而采用團(tuán)簇模式刻蝕膜層,無法實(shí)現(xiàn)快速分析的問題。方法:一、采用單粒子模式下去除表面層;二、采用團(tuán)簇模式下進(jìn)行界面層分析。本發(fā)明主要用于分析材料界面元素化學(xué)狀態(tài)。
聲明:
“利用X射線光電子能譜儀快速刻蝕分析材料界面元素化學(xué)狀態(tài)的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)