本發(fā)明公開了一種多孔硅光子晶體生物
芯片的檢測方法,所述測量方法包括以下步驟 : ?S1、通過等離子體增強化學氣相沉積法將Si3N4沉積在P型單晶硅上, 用標準的光刻工藝制備出8*8的微陣列器件; S2、在黑暗和常溫環(huán)境下對所述微陣列器件進行
電化學腐蝕, 所述微陣列器件中每個圓形單元為多孔硅微腔; S3、將所述多孔微腔連接至所述微陣列器件的表面光學特性的檢測光路; S4、所述檢測光路測量所述微陣列器件表面的反射率,然后將所述反射率的變化轉(zhuǎn)變成數(shù)字圖像中對應(yīng)區(qū)域亮度的變化,分析所述對應(yīng)區(qū)域亮度變化所對應(yīng)的數(shù)字圖像的灰度級,檢測到高靈敏度的折射率。
聲明:
“多孔硅光子晶體生物芯片的檢測方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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