本發(fā)明屬于金屬腐蝕及
電化學(xué)測(cè)試研究技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種用于測(cè)試流動(dòng)狀態(tài)時(shí)垢下腐蝕的單元式陣列電極系統(tǒng)的測(cè)試方法,該方法通過電化學(xué)測(cè)試系統(tǒng)對(duì)單元式陣列電極在動(dòng)態(tài)環(huán)境中的電化學(xué)信息分布予以表征,獲得其腐蝕電位與電流密度信息;通過SEM、XRD技術(shù)對(duì)表面垢層的形貌和成分進(jìn)行表征,改變條件并重復(fù)以上實(shí)驗(yàn),完成測(cè)試;該系統(tǒng)包括電化學(xué)測(cè)試系統(tǒng)、電解池和單元式陣列電極,單元式陣列電極由若干個(gè)三電極單元通過絕緣材料封裝而成,三電極單元中的輔助電極絲、參比電極絲和工作電極絲工作端面上均有垢層。該系統(tǒng)通過單元式陣列電極技術(shù),在金屬表面有垢的情況下準(zhǔn)確測(cè)試不同時(shí)刻、不同流速的電化學(xué)信息分布。
聲明:
“用于測(cè)試流動(dòng)狀態(tài)時(shí)垢下腐蝕的單元式陣列電極系統(tǒng)的測(cè)試方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)