本發(fā)明公開一種能夠有效測試淺溝槽隔離填充能力的測試結(jié)構(gòu),在硅基底上刻蝕有若干用于形成淺溝槽測試結(jié)構(gòu)的第一溝槽,兩相鄰第一溝槽之間的硅基底形成第一硅基底線,所述若干第一溝槽分布在所述測試結(jié)構(gòu)的中間,所述測試結(jié)構(gòu)的外圍還設(shè)置有若干用于消除化學(xué)機械平坦制程中負載效應(yīng)的虛擬結(jié)構(gòu),其特征在于,所述測試結(jié)構(gòu)中最外圍第一溝槽的外側(cè)形成有第二硅基底線,所述第二硅基底線的寬度比所述第一硅基底線的寬度寬。本發(fā)明的有益處是,通過適當(dāng)加寬STI填充能力測試結(jié)構(gòu)中最外圍兩側(cè)的硅基底線的寬度,消除了由于STI蝕刻所帶來的負載效應(yīng),從而能夠更加有效的給工程人員提供信息來判斷或者調(diào)試STI填充制程。
聲明:
“有效的測試淺溝槽隔離填充能力的測試結(jié)構(gòu)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)