本發(fā)明提供了一種提高曝光條件準(zhǔn)確性的量測(cè)結(jié)構(gòu),屬于
半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該量測(cè)結(jié)構(gòu)包括主圖形和啞元圖形,其中,啞元圖形位于主圖形旁側(cè),且量測(cè)結(jié)構(gòu)的整體圖形密度與
芯片內(nèi)部器件區(qū)域的圖形密度相近,從而保證了化學(xué)機(jī)械拋光過(guò)程中量測(cè)圖形和芯片內(nèi)部器件區(qū)域圖形具有大致相同的研磨速率,使整片晶圓更加平坦化,光刻曝光時(shí),量測(cè)圖形與芯片內(nèi)部器件區(qū)域的最佳成像焦點(diǎn)在同一平面上,通過(guò)測(cè)量量測(cè)圖形定義出來(lái)的曝光條件即為芯片內(nèi)部器件區(qū)域圖形的最佳曝光條件,從而在不影響產(chǎn)能的情況下,有效提高光刻曝光條件的準(zhǔn)確性。
聲明:
“提高曝光條件準(zhǔn)確性的量測(cè)結(jié)構(gòu)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)