本發(fā)明公開了一種可用于深紫外極弱光探測(cè)的高純納米結(jié)構(gòu)ZnGa₂O₄的制備方法。ZnGa₂O₄帶隙寬度為4.4?4.7eV，具有優(yōu)異的熱學(xué)和化學(xué)穩(wěn)定性、較高的電子遷移率，能承受較高電流沖擊，可用于深紫外光電探測(cè)器、發(fā)光二極管、低電壓發(fā)光。本發(fā)明采用液相激光燒蝕和溶劑熱法相結(jié)合的方式，通過在液體介質(zhì)中激光燒蝕高純鋅靶和氧化鎵靶，獲得高活性溶劑熱前驅(qū)體，經(jīng)過溶劑熱法合成高純納米結(jié)構(gòu)ZnGa₂O₄。本發(fā)明所采用方法與現(xiàn)有ZnGa₂O₄納米材料制備方法相比，具有產(chǎn)物高純度、單一相結(jié)構(gòu)、結(jié)晶性良好、尺寸均一、形貌可控、制備簡(jiǎn)單、實(shí)驗(yàn)環(huán)境溫和、反應(yīng)時(shí)間短等優(yōu)點(diǎn)；制備的ZnGa₂O₄納米材料可用于組裝成深紫外光電探測(cè)器，并可實(shí)現(xiàn)對(duì)極弱光高靈敏、快響應(yīng)、耐高壓探測(cè)。