本發(fā)明公開(kāi)了一種雪崩放大長(zhǎng)波量子阱紅外探測(cè)器,包括InP襯底(1)及 通過(guò)分子束外延或金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積依次生長(zhǎng)于InP襯底(1)上的下電極 (2)、多個(gè)周期的多量子阱層(3)、上電極(4),所述多個(gè)周期的多量子阱層(3) 中InP作為勢(shì)壘層,InxGa1-xAsyP1-y作為量子阱層,當(dāng)器件工作時(shí),在InxGa1-xAsyP1-y 量子阱層可以產(chǎn)生雪崩放大。本發(fā)明增強(qiáng)探測(cè)器的量子效率,提高器件的響應(yīng) 率,實(shí)現(xiàn)對(duì)長(zhǎng)波紅外光的探測(cè)。
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“雪崩放大長(zhǎng)波量子阱紅外探測(cè)器” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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