本發(fā)明公開了一種GaAs基LFET太赫茲紅外光探測器和制備方法,該探測器包括吸收區(qū)、阻擋區(qū)、源漏區(qū)、介電區(qū)和柵區(qū)六個部分,制備方法包括五個步驟,即通過光刻、離子注入、等離子體增強化學(xué)氣相沉積法(PECVD)、熱蒸發(fā)技術(shù)在高阻GaAs基底依次形成吸收區(qū),源漏區(qū)(與阻擋區(qū)),介電區(qū),源漏電極,以及柵區(qū)。本發(fā)明的優(yōu)點是:柵區(qū)電壓導(dǎo)致吸收區(qū)載流子耗盡有效降低了光生電子?空穴對的復(fù)合速率,提高了內(nèi)量子效率,從而提高了傳統(tǒng)雜質(zhì)光電導(dǎo)型光子探測器的探測率,并且與當前的半導(dǎo)體工藝技術(shù)相兼容。
聲明:
“GaAs基LFET太赫茲紅外光探測器和制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)