本發(fā)明公開了一種二維硒氧化鉍晶體及近紅外光電探測器件。該制備二維硒氧化鉍晶體的方法,包括如下步驟:以Bi2O3粉末和Bi2Se3塊體為原料,在基底上進行化學氣相沉積,沉積完畢得到所述二維硒氧化鉍晶體。用該種方法得到的二維硒氧化鉍近紅外探測器,被有效應用在近紅外探測、顯示、成像上。
聲明:
“二維硒氧化鉍晶體及近紅外光電探測器件” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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