基礎金屬	銅電解銅銅精礦銅管銅棒廢銅銅排銅合金精銅桿再生銅桿銅板帶鋁鋁土礦氧化鋁電解鋁鋁輔料鋁棒鋁合金錠廢鋁鋁桿鋁型材鋁板卷鉛鉛精礦鉛錠鉛蓄電池再生精鉛還原鉛廢鉛蓄電池鉛合金鋅鋅精礦電解鋅鋅合金氧化鋅鋅粉錫錫精礦錫錠錫材
稀貴金屬	稀土稀土礦稀土氧化物稀土金屬釹鐵硼小金屬銻鉍銦鍺鎵硒鉭鋯貴金屬白銀
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共摻雜阻擋雜質帶探測系統(tǒng)及方法

778 編輯：管理員來源：中冶有色技術網

2023-03-19 07:29:09

本發(fā)明提供了一種共摻雜阻擋雜質帶探測系統(tǒng)及方法，包括：步驟S1:在高阻硅襯底的單側表面，注入As離子或者P離子，采用爐管進行退火；步驟S2:在離子注入后表面繼續(xù)外延生長As、P元素共摻雜的吸收層；步驟S3:在吸收層上繼續(xù)通過金屬有機化學氣相沉積工藝外延生長高阻硅作為阻擋層；步驟S4:在阻擋層上，形成局部的正電極接觸區(qū)；在阻擋層、正電極接觸區(qū)以及一定深度的吸收層內，形成臺面結構。步驟S5：在所述臺面表面、側壁及其底部，沉積二氧化硅鈍化層；步驟S6：在二氧化硅鈍化層上，開正負電極孔；步驟S7：在正、負電極孔內，形成歐姆接觸良好的正電極、負電極。本發(fā)明能夠提升有效入射率，提升探測靈敏度。

聲明：

“共摻雜阻擋雜質帶探測系統(tǒng)及方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)