本發(fā)明提供了一種
鈣鈦礦薄膜缺陷態(tài)的氣相鈍化方法,包括如下步驟:(1)采用物理化學(xué)法將鈣鈦礦前驅(qū)液涂覆于導(dǎo)電基底上,經(jīng)退火處理后形成鈣鈦礦薄膜;(2)將步驟(1)所述的涂覆有鈣鈦礦薄膜的導(dǎo)電基底送入反應(yīng)腔內(nèi);(3)將特定的電壓加載于步驟(2)所述的導(dǎo)電基底上,進而實現(xiàn)向基底上涂覆的鈣鈦礦薄膜加載電壓;(4)使用緩沖氣體將用于缺陷態(tài)鈍化的氣體分子通入至步驟(2)所述的反應(yīng)腔內(nèi),與步驟(3)所述的已加載電壓的鈣鈦礦薄膜進行化學(xué)反應(yīng);(5)將步驟(4)所述的鈣鈦礦薄膜和氣體分子的反應(yīng)活性經(jīng)原位表征系統(tǒng)進行檢測,根據(jù)反應(yīng)活性的檢測結(jié)果即可判斷鈣鈦礦薄膜缺陷態(tài)的鈍化。所述方法是通過向鈣鈦礦薄膜施加電場,誘發(fā)鈣鈦礦薄膜缺陷態(tài)與氣體分子發(fā)生化學(xué)反應(yīng),實現(xiàn)鈣鈦礦薄膜缺陷態(tài)的鈍化。本發(fā)明具有條件可控、重復(fù)準(zhǔn)確性高等優(yōu)點。
聲明:
“鈣鈦礦薄膜缺陷態(tài)的氣相鈍化方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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