本發(fā)明公開了一種寬吸收光譜的硫化鉛薄膜及其制備方法。薄膜由覆于襯底上的硫化鉛晶粒組成,其中,薄膜的厚度為500?540nm,硫化鉛晶粒的粒徑為6?10nm,由粒徑6?10nm的硫化鉛晶粒組成的薄膜于450?2200nm波段呈現(xiàn)吸收峰;方法采用化學(xué)浴沉積法,即先將氫氧化鈉溶液、硫脲溶液和三乙醇胺依次加入醋酸鉛溶液中,得到混合液,再向混合液中加入去離子水,得到反應(yīng)液,之后,先將襯底置于攪拌下的70?80℃的反應(yīng)液中至少2h,得到其表面置有反應(yīng)物的襯底,再對其表面置有反應(yīng)物的襯底進行清洗和干燥,制得目的產(chǎn)物。它具有較寬的波段吸收特性,極易于廣泛地商業(yè)化應(yīng)用于光電探測、太陽能涂覆吸收層、氣敏檢測等領(lǐng)域。
聲明:
“寬吸收光譜的硫化鉛薄膜及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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