本發(fā)明涉及
電化學領域,具體涉及Pd納米線修飾電極及其制備方法和用途,Pd納米線修飾電極的制備方法包括以下步驟,①制備AAO模板,AAO模板雙通后進行導電化處理;②將步驟①中的雙通AAO模板貼在Pt電極表面,進行直流電沉積以使AAO模板固定于Pt電極表面;③將表面固定有AAO模板的Pt電極于溶液中浸沒,取浸沒后的電極沖洗得到有序的PdNAs,陰干,即得Pd納米線修飾電極。采用本發(fā)明的Pd納米線修飾電極檢測2, 4?噻唑烷二酮的濃度時,檢測靈敏度高、線性范圍寬、最低檢測限低,抗干擾能力強,檢測精度高。
聲明:
“Pd納米線修飾電極及其制備方法和用途” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)