本發(fā)明公開了一種MBE外延片生產(chǎn)方法,包括如下步驟:步驟S1、襯底處理、步驟S2、生長介質層、步驟S3、熱化學處理、步驟S4、生長氮化物潤濕層、步驟S5、依次生長AlGaN緩沖層、n?GaN層、InGaN/GaN MQWs量子阱層和p?GaN層、步驟S6、檢測合格后,包裝。本發(fā)明公開的MBE外延片生產(chǎn)方法工藝簡單,操作控制方便,耗能低,對設備依賴性小,適合工業(yè)化大規(guī)模生產(chǎn);通過該生產(chǎn)方法制成的MBE外延片表面質量好、缺陷少,襯底易去除,
電化學性能優(yōu)異。
聲明:
“MBE外延片生產(chǎn)方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)