本發(fā)明提供了一種聚吡咯/銀@氯化銀核殼結(jié)構(gòu)納米線、制備方法及其應(yīng)用,本發(fā)明利用兩步刻蝕法首次合成出銀@氯化銀核殼結(jié)構(gòu)納米線。耦合銀@氯化銀納米線與聚吡咯,制備得到聚吡咯/銀@氯化銀核殼結(jié)構(gòu)納米線,在光
電化學(xué)傳感器的發(fā)展中有著潛在的應(yīng)用潛能。跟現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明銀納米線核可以快速的轉(zhuǎn)移電子并有效的阻礙電子與空穴的重組。聚吡咯拓寬了電極對(duì)可見(jiàn)光的吸收范圍,提高光電流轉(zhuǎn)化效率。通過(guò)對(duì)焦棓酸的檢測(cè),聚吡咯/銀@氯化銀光電化學(xué)傳感器表現(xiàn)出響應(yīng)快速、靈敏度高、選擇性好等優(yōu)點(diǎn)。
聲明:
“聚吡咯/銀@氯化銀核殼結(jié)構(gòu)納米線、制備方法及其應(yīng)用” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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