本發(fā)明屬于
電化學傳感器件制造技術(shù)領域,具體為一種低溫制備二維柔性離子敏場效應晶體管的方法。本發(fā)明中,以柔性材料作為襯底,其上沉積圖形化金屬層作為背電極,在背電極上生長絕緣氧化層,在絕緣介質(zhì)層上轉(zhuǎn)移二維半導體薄膜,作為器件的導電溝道;在二維半導體薄膜上形成圖形化金屬層作為該器件的源、漏區(qū);在溝道區(qū)域上方沉積功能層材料。本發(fā)明利用微波退火工藝低溫處理,一方面改善器件各層之間的界面特性,消除測試中由于界面缺陷造成的遲滯、漂移等現(xiàn)象;另一方面,借助功能層材料對微波的吸收作用,與在二維半導體薄膜界面處形成納米結(jié)構(gòu)的功能層,可應用于不同場景的傳感檢測。微波退火工藝具有快速,低熱預算,制造周期短,成本低廉等優(yōu)點。
聲明:
“低溫制備二維柔性離子敏場效應晶體管的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)