本發(fā)明涉及一種PtSx高性能光電器件及其制備方法和應(yīng)用,包括由下自上依次生長的基底、PtSx薄層、兩個(gè)電極,所述基底的上表面生長有所述PtSx薄層,所述PtSx薄層的上表面設(shè)有所述兩個(gè)電極,1≤x≤2,PtSx薄層通過化學(xué)氣相沉積法,利用硫化氫氣體、氫氣和氬氣的混合氣體,在高溫條件下硫化圖形化金屬鉑薄層獲得。光電器件通過圖形化金屬硫化和電極沉積工藝制備,可大面積制備PtSx薄膜和光電器件。本發(fā)明所公開的光電器件具有寬光電響應(yīng)窗口,光電性能高,穩(wěn)定好,檢測靈敏度高,超高的外量子效率,制作簡單,成本低,在光電子器件、氣體傳感器和電子器件領(lǐng)域具有極大的應(yīng)用潛力。
聲明:
“PtSx高性能光電器件及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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