本發(fā)明公開了一種納米陣列硫化亞銅的制備方法,包括以下步驟:在室溫、攪拌的條件下,將去離子水與乙二胺溶液混合均勻,再浸入銅棒,超聲20分鐘后再加入硫脲溶液和聚乙烯吡咯烷酮(PVP),密閉放置6-24小時;清洗,室溫干燥即可。本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比,利用濕化學法,在常溫下一步反應即可制得硫化亞銅納米陣列。所制得的硫化亞銅納米陣列的厚度為5?nm-100?nm。原材料廉價易得,操作簡便,產物純度高、分散性好、晶形好且可控制,生產成本低,重現(xiàn)性非常好,可達95%以上。且制得的銅-硫化亞銅異質結構可以作為傳感器電極,直接用于物質(如葡萄糖)的檢測。
聲明:
“納米陣列硫化亞銅的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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