本發(fā)明提供了一種高熒光發(fā)射的POSS取代苝二酰亞胺晶體及其制備方法。所述晶體因POSS取代基結(jié)構(gòu)和晶格的阻隔,阻礙了苝核的堆積,分子間π-π相互作用是非連續(xù)的,阻止了熒光猝滅從而具備高熒光發(fā)射性。所述制備方法是以相應(yīng)的非晶態(tài)固體為原料,通過結(jié)晶制得。本發(fā)明所述高熒光發(fā)射的POSS取代苝二酰亞胺晶體為非晶固體的熒光量子產(chǎn)率的2-3倍,并且在200-600nm紫外可見光區(qū)域具有強(qiáng)而寬的吸收,在600-680nm左右具有強(qiáng)烈的熒光發(fā)射性能。其作為熒光功能有機(jī)晶體材料在有機(jī)發(fā)光二極管、光泵浦激光、場效應(yīng)晶體管、化學(xué)傳感器、微電子領(lǐng)域、生物分子熒光標(biāo)記、檢測、篩選和富集等生物醫(yī)用領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用價值。
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“高熒光發(fā)射的POSS取代苝二酰亞胺晶體及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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