一種基于ITO導(dǎo)電玻璃上集成納米增強基底的復(fù)合式多通道SERS微流控
芯片及其制備方法。本發(fā)明充分利用ITO導(dǎo)電玻璃表面光滑、導(dǎo)電性好的特性,將其作為SERS微結(jié)構(gòu)的基底表面,采用兩步計時電流沉積方法,通過控制納米顆粒成核與生長過程中的沉積電位與沉積時間,控制納米顆粒形貌與尺寸,可有效制備靈敏度高、穩(wěn)定性好、均勻分布的金屬納米結(jié)構(gòu)SERS基底。進一步,將其與含陣列式微通道的PDMS蓋片鍵合,構(gòu)建獲得復(fù)合式、高通量的微流控SERS芯片,該芯片在同一片ITO玻璃上制作形成多個SERS檢測區(qū),其納米增強基底是同步
電化學(xué)沉積獲得,其形貌一致性好,信號重現(xiàn)性佳。
聲明:
“ITO導(dǎo)電玻璃上集成增強基底的SERS微流控芯片及制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)