一種(200)擇優(yōu)取向硫化鉛薄膜的制備方法,屬于電子材料技術(shù)領(lǐng)域,涉及半導(dǎo)體光電薄膜及紅外光電探測(cè)器,具體是指采用化學(xué)浴沉積法制備用于近紅外光電探測(cè)器的(200)擇優(yōu)取向的硫化鉛薄膜的方法。本發(fā)明采用化學(xué)浴沉積法,通過設(shè)計(jì)反應(yīng)前驅(qū)物溶液的配置流程,嚴(yán)格控制薄膜的初始成核過程,并通過后續(xù)的高溫敏化過程,獲得(200)擇優(yōu)取向的立方晶相硫化鉛薄膜。本發(fā)明所制備的硫化鉛薄膜具有良好的均勻性和光敏特性,可用于近紅外光電探測(cè)器。本發(fā)明整個(gè)制備工藝過程簡(jiǎn)單、易控,制備裝置簡(jiǎn)單、成本低廉。
聲明:
“(200)擇優(yōu)取向硫化鉛薄膜的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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