本發(fā)明涉及光電探測技術(shù)領(lǐng)域,具體公開一種降低微結(jié)構(gòu)硅材料上金半接觸電阻的方法及微結(jié)構(gòu)硅材料。本發(fā)明的方法包括化學(xué)清洗、反應(yīng)離子刻蝕處理、熱退火處理、化學(xué)清洗、電極制備以及金屬化熱處理等步驟。本發(fā)明的方法工藝復(fù)雜度低,中間過程較少,處理后的微結(jié)構(gòu)硅材料表面較為光滑,同時覆蓋其表面的超飽和摻雜層未被去除,在不影響微結(jié)構(gòu)硅材料對近紅外光吸收能力的同時,降低了其與金屬電極之間的接觸電阻,且令金屬電極能夠穩(wěn)定的附著在其表面上,能夠進(jìn)一步提高微結(jié)構(gòu)硅光電探測器的近紅外光電響應(yīng)。
聲明:
“降低微結(jié)構(gòu)硅材料上金半接觸電阻的方法及微結(jié)構(gòu)硅材料” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)