本發(fā)明公開了一種生長納米級氣泡的方法,其采用
電化學(xué)方法,以疏水的、表面粗糙度不超過10納米的導(dǎo)電材料為工作電極,同時作為生長納米氣泡的基底,并控制電壓至少為0.7V的正壓或負(fù)壓,反應(yīng)時間為1秒~2.5小時。本發(fā)明也公開了一種觀測并控制上述生長納米級氣泡的裝置和方法。本發(fā)明方法可以產(chǎn)生某一單體成分的納米級氣泡,具有很好重現(xiàn)性,操作簡便;而且,通過改變電壓和反應(yīng)時間可以控制納米氣泡的大小和數(shù)量。
聲明:
“生長納米級氣泡的方法及其觀察并控制裝置與方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)